阿斯麦 ASML 公布 EU欧亿V 光源技术突破，2030 年芯片产能有望提升 50%

IT之家 2 月 23 日消息，公光源据路透社今日报道，技术阿斯麦（ASML）的突破欧亿研究人员表示，他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的年芯方法，到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。片产

IT之家注意到，望提阿斯麦极紫外（EUV）光源首席技术官迈克尔・珀维斯（Michael Purvis）在接受采访时表示：“这不是公光源花拳绣腿，也不是技术那种只能在极短时间内演示可行的东西，这是突破一个能在客户实际生产环境的所有相同要求下，稳定输出 1000 瓦功率的年芯系统。”

报道称，片产欧亿随着周一公布的望提这一技术进步，阿斯麦旨在通过改进光刻机中技术难度最高的公光源部分，进一步拉开与所有潜在竞争对手的技术距离。这是突破一场生成具备合适功率和特性的极紫外光，以实现高产量芯片制造的技术攻关，该公司研究人员已找到将 EUV 光源功率从目前的 600 瓦提升至 1000 瓦的方法。

其主要优势在于，更高的功率意味着每小时能制造更多芯片，从而降低单颗芯片的成本。芯片制造过程类似“打印”：极紫外光照射到涂有光刻胶的硅片上。借助功率更高的 EUV 光源，芯片厂所需的曝光时间将大幅缩短。

阿斯麦 NXE 系列 EUV 光刻机业务执行副总裁滕・梵高（Teun van Gogh）表示，到 2030 年，升级后的设备每小时可处理约 330 片晶圆，而目前为 220 片。根据芯片尺寸的不同，每片晶圆可产出数百到数千颗芯片。

报道提到，阿斯麦通过强化其光刻机中最复杂的部件之一 —— 锡滴发生器，实现了功率提升。在该系统中，大量二氧化碳激光将锡滴加热成等离子体（一种超热物质状态），然后锡离子发出可用于芯片制造的极紫外光。

周一披露的关键进展是将锡滴数翻倍至约每秒 10 万次，并用两次较小的激光脉冲将其塑形成等离子体，而现在的机器只能用一次成型。

珀维斯表示：“这非常具有挑战性，因为你需要掌握纳米级的精准度，你必须掌握激光技术、等离子体科学以及材料科学。”他补充道：“我们在千瓦级实现的成果意义重大，已经看到了一条通往 1500 瓦的清晰路径，从理论上讲，未来突破 2000 瓦也不存在根本性障碍。”

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